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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmkj |
| 모델 번호 | 4inch--N, 4H-semi |
4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,
적용 분야
1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드,
접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀, 다이오드, IGBT, MOSFET
2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
아드밴티지먼트
오우 낮은 격자 부정합
오우 고열 전도성
오우 저 전력 소모
오우 우수한 과도 특성
오우 하이 밴드 갭
탄화규소 실리콘 탄소 결정 기판 웨이퍼 탄화규소
탄화규소 물질 특성
| 상품 이름 : | 탄화규소 (SiC) 결정 기판 | ||||||||||||||||||||||||
| 제품 설명 : | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| 기술적인 매개 변수 : |
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| 상술 : | dia2 x0.33mm, dia2 x0.43mm,dia2"x1mmt, 10x5mm 단일 행정 또는 이중 드로우인 10x10mm, Ra를 반 절연하는 6H n형 4H n형 <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| 표준 패키징 : | 1000년은 방, 100개의 깨끗한 가방 또는 단일 박스 패키징을 청소합니다 |
2. 표준의 기판 사이즈
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4 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술 |
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| 등급 | 제로 MPD 등급 | 생산 등급 | 조사 등급 | 가짜 등급 | |||||
| 지름 | 100.0 mm±0.5 밀리미터 | ||||||||
| 두께 | 350 μm±25μm (또한 200-500um 두께는 괜찮습니다) | ||||||||
| 웨이퍼 방향 | 축 이탈 : 주축 위의 <1120> 4H-N/4H-SI를 위한 4.0' ±0.5를 향하여' : <0001> 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI를 위한 ±0.5' | ||||||||
| 마이크로파이프 비중 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
| 저항률 | 4H-N | 0.015~0.028 Ωocm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ωocm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| 1차 플래트와 길이 | {10-10}±5.0', 32.5 mm±2.0 밀리미터 | ||||||||
| 2차 플래트 길이 | 18.0mm±2.0 밀리미터 | ||||||||
| 2차 플래트 배향 | 실리콘 페이스 업 : 90' CW. 중요한 플랫 ±5.0'으로부터 | ||||||||
| 에지 배제 | 3 밀리미터 | ||||||||
| TTV / 활 /Warp | ≤15μm /≤25μm /≤40μm | ||||||||
| 거칠기 | CMP Ra≤0.5 nm, Ra≤1 nm을 닦습니다 | ||||||||
| 고강도 빛에 의한 결함 | 어떤 것 | 1 허락된, ≤2 밀리미터 | 점진적 길이 ≤ 10 밀리미터가 length≤2mm을 선발합니다 | ||||||
| 고강도 빛에 의한 마법 플레이트 | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤3% | ||||||
| 고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 | 어떤 것 | 누적 면적 ≤2% | 누적 면적 ≤5% | ||||||
| 고강도 빛에 의한 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 3 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | ||||||
| 가장 자리 칩 | 어떤 것 | 각각 3 허락된, ≤0.5 밀리미터 | 각각 5 허락된, ≤1 밀리미터 | ||||||
| 고강도 빛에 의한 오염 | 어떤 것 | ||||||||
SIC 웨이퍼와 잉곳 2-6inch와 다른 주문 제작된 사이즈 또한 제공될 수 있습니다.
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